场效应管|MOSFET|MOS管 - BYCHIP

MOS管是一种器件半导体，其工作原理是通过在P型半导体和N型半导体之间施加逆电压PN结，从而实现导电能力。在半导体中，电子必须从低能级跳跃到高能级才能形成自由载流子。当半导体器件受到偏置（P型和N型之间的电压）時，空穴从P极移动到电极，而电子则从N极移动到P极。由于电位差作用，大部分载流子在浓度差梯度的方向上移动，导致PN结反向击穿。当外加电压超过一定值時，少数载流子的数量超过大多数载流子的数量一倍，反向击穿穿现象就会发生。