场效应管|MOSFET|MOS管 - BYCHIP

一.防烧MOS管

防烧MOS的应用位置如下，在手机充电线路中VBUS走线上，并联一颗NMOS，MOS管的D极接VBUS，S极接地，G极接到AP，通过AP通过防烧MOS的打开和关闭。防烧MOS管主要是在充电过程中检测到充电端口进水、有异物、短路的时候打开防烧MOS管，充电电流从防烧MOS管流过，相当于把VBUS通过一个很小的电阻短路到地上，这时电流会超过充电器的最大输出电流，触发充电器输出短路保护，充电器会发生过流保护无电压输出。从而起到保护作用。

防烧MOS管和普通功率MOS管的的一个重要差异的Vth较低，比如PMPB13XNE Vth最大0.9V，这是因为目前手机平台的GPIO电压是1.8V，如果Vth较大1.8V无法保证MOS完全打开。

防烧MOS管的应用位置图。

实际原理图连接关系如下，下面是某客户的某项目的原理图。

当前几个手机客户用的防烧MOS管型号如下：

表1

二.绿厂的VOOC直充电路

可参考我写的第二篇文章充电5分钟 通话2小时- OPPO VOOC快充电路，绿厂的VOOC直充用2颗背靠背的NMOS，一颗用做OVP用，一颗用做防漏电用。所用的MOS管型号包含在后面提到的做OVP用的型号中，表2。

三.做OVP开关

在Chargepump充电IC的输入端，串联MOS管做OVP开关，MOS管的G极有Chargepump OVP_DRV 脚来控制，输出电压达到OVP门限时，充电IC关闭MOS管，进而保护充电IC。

当前一些客户主要是使用的MOS管型号如下：

表2

四.做OVP开关+防漏电

当无线充电和有线充电使用同一颗充电IC（Chargepump）的时候，在无线充电路径上串联2颗NMOS，在有线充电路径上串联2颗NMOS，如果像上节一样只串联一颗MOS管的话，如黄色路径——有线充电的时候电压会通过MOS管的寄生二极管漏到无线充电IC的输出端，或者如红色路径——无线充电的时候电压会通过MOS管的寄生二极管漏电到Type-C接口。背靠背并联两颗就很好的解决了这个问题。MOS 管型号参考表2。

当然有的客户有线充电和无线充电不是走同一颗充电芯片，有的客户无线充电会单独加一颗小功率的Chargepump 充电IC，这种方案有线充电端可以只使用一颗MOS。