Mosfet参数含义说明

Mosfet参数含义说明

Vds

也就是电压，这是MOSFET极限参数表示MOSFET漏极与源极之间的最大电压值。值得注意的是，该参数与结温有关，通常结温越高，该值最大。

Rds(on)

漏源导电阻，表示MOSFET在一定条件下导通时，泄漏极之间的导通电阻。这个参数和MOSFET结温，驱动电压Vgs相关。在一定范围内，结温越高，Rds驱动电压越高，Rds越小。

Id

漏极电流通常有几种不同的描述方法。根据工作电流的形式，连续泄漏电流和一定脉宽的脉冲泄漏电流(Pulsed drain current)。这个参数同样是MOSFET一个极限参数，但这个最大电流值并不意味着泄漏电流可以在运行过程中达到这个值。这意味着当壳体温度在一定值时，如果MOSFET如果工作电流为上述最大泄漏电流，结温将达到最大值。因此，该参数还与设备包装和环境温度有关。

Vgs

这也是栅源最大的驱动电压MOSFET极限参数表示MOSFET一旦驱动电压超过这个极限值，即使在很短的时间内，也会对栅极氧化层造成永久性伤。一般来说，只要驱动电压不超过极限，就不会有问题。然而，在某些特殊情况下，由于寄生参数的存在，它将是正确的Vgs需要特别注意电压的不可预测影响

Idm

最大脉冲DS电流.它会随着温度的升高而降低，反映抗冲击性，这也与脉冲时间有关

Pd

最大耗散功率

Tj

最大工作温度通常为150度和175度

Tstg

最大存储温度

Iar

雪崩电流

Ear

重复雪崩击穿能量

Eas

重复雪崩击穿能量

BVdss

雪崩击穿电压

Idss

IDSS表示泄漏电流，栅极电压VGS=0、VDS一定值时漏源，mA级

Igss

IGSS表示栅极驱动漏电流，越小越好，对系统效率影响较小，uA级的电流

gfs

跨导是指泄漏电极输出电流与栅源电压变化之比，是栅源电压控制泄漏电流的能力。

Qg

在驱动信号的作用下，栅极电压从0V上升至终止电压(如15V)所需的充电电荷。也就是说，MOSFET驱动电路从截止状态到完全导通状态所需的电荷是评估MOSFET驱动电路驱动能力的主要参数。

Qgs

G总充电电量

Qgd

栅漏充电(考虑到Miller效应)电量

Td(on)

延迟时间.从输入GS电压上升到 10%，开始到 VDS 下降到其幅值 90%。

Tr

上升时间.输出电压 VDS 时间从90%下降到10%。

Td(off)

关闭延迟时间.从输入GS电压下降到 90%到 VDS 上升到其关断电压时 10%的时间。

Tf

下降时间.输出电压VDS时间从10%上升到90%

Ciss

输入电容，Ciss=Cgd Cgs. 短接泄漏源，用交流信号测量的栅极与源极之间的电容为输入电容。Ciss由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成。

Coss

输出电容，Coss=Cds Cgd. 用交流信号测量的泄漏极与源极之间的电容器短接栅源。Coss由漏源电容Cds并联网源电容。

Crss

反向传输电容，Crss=Cgc.在源极接地的情况下，测量漏极与栅极之间的电容相当于反向传输电容（Cgd越低越好）

最大额定参数

最大额确定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)