MOS管是一種器件半導體,其工作原理是通過在P型半導體和N型半導體之間施加逆電壓PN結,從而實現導電能力。在半導體中,電子必須從低能級跳躍到高能級才能形成自由載流子。當半導體器件受到偏置(P型和N型之間的電壓)時,空穴從P極移動到電極,而電子則從N極移動到P極。由於電位差作用,大部分載流子在濃度差梯度的方向上移動,導致PN結反向擊穿。當外加電壓超過一定值時,少數載流子的數量超過大多數載流子的數量一倍,反向擊穿穿現象就會發生。
在電源適配器、智能家居等產品領域,存在一些痛點需要解決:
產品工作效率提升難點;
產品溫升測試不合格;
器件本身發熱處理困難;
器件晶圓問題。